Коефіціент підсилення. Gain. На транзисторі

Повертаючись до схеми підсилювача на біполярному транзисторі з спільним емітером, про яку я писав раніше, хотілось би розглянути цікаві питання коефіцієнта підсилення (англійською Gain). Розглянувши формули, мені стало зрозуміло, що фактично Gain не залежить від характеристики b (hFE) транзистора, про це так і писав Хоровіц. Все тому що b (hFE) не є статичною і змінюється від транзистора до транзистора.

Також, використовуючи пораду з книги Хоровіца і Хілла, резистор емітера має бути в 10 разів менший за резистор колектора. Саме це спричинює те, що мінімальний Gain каскаду стає рівним приблизно 10. Формула виглядає так Gain = Rc / (25 + Re); Re = 0.1Rc. Враховуючи, що резистор колектора приймає значення такі як 12500 (Ом) наприклад, опір в 25 (Ом) практично нічого не вирішує. При Rc = 12500, Gain = 9,8.

Читать полностью

Расчет усилителя на транзисторе с общим эмитером (по-американски)

Всегда меня мучал вопрос, как же точно и детально рассчитать усилитель на транзисторе, и всегда я находил не понятные мне детали. Вы можете сказать, что был СССР, строил приборы и т. д. Да, но как это делали инженера мы не знаем, а любители возможно в большинстве допускали некоторое колебание параметров и неточностей.

Как гласят наши (пост СССР) инструкции в учебниках, для расчета усилителя необходимо использовать выходную ВАХ транзистора, она выглядит вот так:

Читать полностью

Розрахунок транзисторного ключа

Цей розрахунок приведено звісно ж для біполярного транзитора, а не польового. Суть ключа транзисторного в тому, що колектор віддає весь струм в навантаження, а для бази транзистора необхідно розрахувати резистор. Часто ключі використовуються щоб слабий сигнал активував потужне навантаження. Наприклад мені від потрібен для вмикання світлодіодної стрічки на 12 Вольт від Китайського датчика руху. Звісно той датчи не увімкне стрічку, яка спожимає 0,3 Ампер і 12 Вольт, тобто 3.6 Вт. А от середній транзитор справиться з таким завданням. Середній це такий транзистор, в якому є отвір для прикручування, але ще немає мателічного хвоста. Тобто отвір в моноліті. Розрахунок буде пояснено методом розв'зання конкретного завдання.

Дано:

U=24V I(Load) = 1A B = 30 (hfe)

Розрахунок

Ik = B*Ib, Ib = Ik/B Ib = 1/30 = 0.033 A На Rb падає напруга така: 24V-0.7V = 23.3V Rb = U/I = 23.3/0.033 = 700 (Omh) Отже ми розрахували резистор для бази транзистора, як і було потрібно.
B772P: Розрахунок по кривим графіка. 12V, 0.3A. Ib = 2mA. Rb= U/I = (12-0.7)/0.002 = 5650 (Om). 5.6k Розрахунок по мінімальному B (hfe) Ib = 0.3/30 = 0.01 A Rb = 11.3/0.01 = 1130 (om) 1.1k Отже можна брати резистор між 1к до 5к. Справа в тому що HFE дуже не точна величина, мінімум 30, максимум 220. Звісно правильніше взяти менший опір резистора.

Читать полностью